纳米烧结银膏——第三代半导体高性能连接方案

产品概述

金川岛纳米烧结银膏，是以有机粘合剂为载体、均匀分散纳米级银粉的浓稠膏体，专用于先进独立封装或多芯片电源模块中半导体器件的连接，可替代传统焊料或导电环氧树脂。

• 产品系列：

• 有压烧结银膏：适用于大功率器件，具备高机械强度与高剪切强度，生产效率高。

• 无压烧结银膏：适用于高频器件，拥有优异的热导率和长期可靠性，工艺兼容性好，可在空气或氮气气氛中烧结。

• 核心性能：相比传统焊料，金川岛纳米银膏热性能和电性能提升5倍，器件可在超过250℃高温下稳定运行，支持<275℃低压烧结，低弹性模量提升抗热疲劳可靠性，无铅环保、符合RoHS标准，且与现有生产设备完全兼容。

  

技术参数与工艺能力

金川岛纳米烧结银膏提供灵活的双工艺路线，以满足不同功率器件对性能与效率的差异化需求：

1. 烧结工艺选择

2.关键性能参数

产品应用

凭借超高热导率（>100W/m·K）和卓越的可靠性，金川岛纳米烧结银膏已成为第三代半导体的芯片连接、新能源汽车、高速铁路、5G通信、航天军工等领域中，SiC/GaN功率器件封装的理想选择。

上图从材料、器件到封装三层展现第三代半导体全貌：半导体从Si/Ge（一代）、GaAs/InP（二代）演进到SiC/GaN（三代），后者耐600℃高温、导热优异，用于高铁/新能源汽车等功率器件。图下为IGBT芯片半桥并联于DBC基板的封装结构。金川岛纳米银膏适用于该结构的芯片连接，满足高可靠性需求。

上图展现功率器件封装材料的四大核心要求：耐高温、高抗剪强度、低电阻率、高热导率。传统焊料在高温场景下性能受限，纳米烧结银（Ag）因其优异的导热导电性和可靠性，成为替代传统焊料的最有潜力候选者，适用于第三代半导体的芯片连接。

银烧结技术：

银烧结技术是一项比较新颖的连接工艺。SiC半导体材料的工作温度可以升高至200℃以上，传统锡焊料会很大程度限制SiC的性能发挥，银烧结技术能突破这个瓶颈，是重要的连接发展方向。

银烧结生成的连接层比锡焊料形成的连接层在所有参数上都占优势：

1. 烧结银的热导率是220W/m·K，是锡焊料的4倍，固态银的热导率高达420W/m·K。

2. 银烧结层的厚度<20μm，锡焊料层>30μm。

3. 烧结银层的电阻率（1.6μΩ·cm）远低于锡焊料（SnAg3.5）的电阻率（13.5μΩ·cm）。

4. 可靠性比锡焊料有数量级的提升。

上图展示纳米银膏流变特性：粘度随剪切率升高而下降（剪切变稀），25℃时>100 Pa·s，保证印刷适应性

上图展示烧结工艺流程：基板/晶圆印刷→切割→贴装→加压烧结。三要素：温度、压力（有压/无压）、时间。金川岛纳米银膏适配该工艺。

金川岛成立于2009年，专注预成型焊片研发生产，与华南理工大学等高校深度合作，通过ISO9001及SGS认证。主营金、银、铜、锡、铟、铋等多合金焊片及焊环，产品应用于精密电子、新能源汽车、军工航天等领域。秉承“主动规范，细致创新”理念，提供全流程专业服务。

金川岛通过ISO9001及武器装备质量体系认证，符合GB/T19001-2016标准，产品达到军工级品质要求。